基本简介

职称：副教授

学位：博士

毕业学校：中山大学

主要兼职：无

电子邮件：wushx3@mail.sysu.edu.cn

个人主页：

学历

本科：2000年-2004年，赣南师范大学

硕士：2004年-2006年，中山大学

博士：2006年-2009年，中山大学，凝聚态物理学

学术经历

博士后：2009年-2011年，新加坡南洋理工大学，物理与数学学院

访问学者：2019-2020年，美国加州大学-洛杉矶分校(UCLA)，电子与电气学院

学科方向

所在学科：材料物理

研究方向：光电材料与技术、自旋电子学材料

研究兴趣：二维材料的红外与太赫兹探测、铁磁/重金属的自旋轨道矩效应

学术业绩

针对“后摩尔时代”信息存储技术的需求，致力于研究基于新物理现象的新型电子存储器件，如阻变存储(RRAM)、磁存储(MRAM)，在新型功能电子器件的研究方面取得了一系列的成果。发展了界面高迁移二维电子气的外延氧化物异质结在RRAM中的应用，大幅度提高了RRAM的存储速度、抗疲劳度及器件稳定性，并利用氧化物的宽光学带隙，发展了透明RRAM；拓展了自旋电子学新材料，3d过渡金属氮化物展现出低磁阻尼、高自旋极化率、垂直磁各向异性，在基于自旋转移力矩的磁存储器（STT-MRAM）和基于自旋轨道力矩的磁存储器（SOT-MRAM）具有重要的应用前景。在国际期刊 Physical Review X、NPG Asia Materials, ACS Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters等发表学术论文70余篇。

荣誉获奖

广东省科学技术奖一等奖 (排名第四)

代表论著

1. Tianyao Wei, Ximiao Wang, Qi Yang, Zhihao He, Peng Yu, Zhuang Xie, Huanjun Chen, Shuwei Li, and Shuxiang Wu*，Mid-Infrared Photodetection of Type-II Dirac Semimetal 1T-PtTe2 Grown by Molecular Beam Epitaxy，ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 13, 22757−22764.

2. Zhihao He, Tianyao Wei, Wuchao Huang, Wenqi Zhou, Ping Hu, Zhuang Xie, Huanjun Chen, Shuxiang Wu,* and Shuwei Li*, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12, 44067−44073.

3. Songdan Kang, Tian Dai,Xingyuan Ma,Shuai Dang,Hongwei Li,Ping Hu,Fengmei Yu,Xiang Zhou, Shuxiang Wu *，and Shuwei Li，Broad spectral response of an individual tellurium nanobelt grown by molecular beam epitaxy, Nanoscale, 2019, 11, 1879.

4. Ma Xingyuan, Dai Tian, Dang Shuai, Kang Songdan, Chen Xuexian, Zhou Wenqi, Wang Gaili, Li Hongwei, Hu Ping, He Zhihao, Sun Yue, Li Dan, Yu Fengmei, Zhou Xiang, Chen Huanjun*, Chen Xinman, Wu Shuxiang*, Li Shuwei, Charge Density Wave Phase Transitions in Large-Scale Few-Layer 1T-VTe2 Grown by Molecular Beam Epitaxy , ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11, 10729-10735. 

5. Li Hongwei, Wang Gaili, Li Dan, Hu Ping, Zhou Wenqi, Dang Shuai, Ma Xingyuan, Dai Tian, Kang Songdan, Yu Fengmei, Zhou Xiang, Wu Shuxiang*, Li Shuwei*, Field-Free Deterministic Magnetization Switching with Ultralow Current Density in Epitaxial Au/Fe4N Bilayer Films , ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(18): 16965-16971. 

6. Meng, M., Wu, Shuxiang*, Ren, L. Z., Zhou, W. Q., Wang, Y. J., Wang, G. L., Li, S. W.*, Extrinsic anomalous Hall effect in epitaxial Mn4N films, Applied Physics Letters, 2015, 106(3): 32407. 

7.Meng, M., Wu, S. X.*, Zhou, W. Q., Li, S. W., Scaling of the anomalous Hall effect in epitaxial antiperovskite Mn3.5Dy0.5N involving multiple competing scattering mechanisms , Applied Physics Letters, 2016, 109(8): 082405.  

8. Wu, Shuxiang*, Ren, Lizhu, Qing, Jian, Yu, Fengmei, Yang, Kungan, Yang, Mei, Wang, Yunjia, Meng, Meng, Zhou, Wenqi, Zhou, Xiang, Li, Shuwei*, Bipolar Resistance Switching in Transparent ITO/LaAlO3/SrTiO3 Memristors, ACS Applied Materials & Interfaces, 2014, 6(11): 8575-8579. 

9. Wu, Shuxiang, Luo, Xin, Turner, Stuart, Peng, Haiyang, Lin, Weinan, Ding, Junfeng, David, Adrian, Wang, Biao, Van Tendeloo, Gustaaf, Wang, Junling, Wu, Tom*, Nonvolatile Resistive Switching in Pt/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures, Physical Review X, 2013, 3(4): 41027.   

10.Wu, Shuxiang*, Wu, Guangheng, Qing, Jian, Zhou, Xiang, Bao, Dinghua, Yang, Guowei, Li, Shuwei*, Electrically induced colossal capacitance enhancement in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures, NPG Asia Materials, 2013, 5, e56.